ಹ್ಯಾಂಗ್ ಝೌ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ ಪವರ್‌ನ ನಿರ್ವಾತ ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಲೇಪಿತ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್
ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತ ವಿವರಣೆ:
ಹ್ಯಾಂಗ್ ಝೌ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ ಪವರ್ ವಿನ್ಯಾಸಗೊಳಿಸಿದ ಮತ್ತು ತಯಾರಿಸಿದ ನಿರ್ವಾತ ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಲೇಪಿತ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ ನಂಬಲಾಗದ ಶಕ್ತಿ ಮತ್ತು ಬಾಳಿಕೆ ನೀಡುತ್ತದೆ. ಇದರ ವಿಶಿಷ್ಟ ನಿರ್ಮಾಣವು ಹೆಚ್ಚು ಬೇಡಿಕೆಯಿರುವ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳನ್ನು ಸಹ ತಡೆದುಕೊಳ್ಳಬಲ್ಲದು ಎಂದು ಖಚಿತಪಡಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಯ ಕೈಗಾರಿಕಾ ಮತ್ತು ವಾಣಿಜ್ಯ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತ ಪರಿಹಾರವಾಗಿದೆ.
●ಸಿಂಟರ್ಡ್ NdFeB ಆಯಸ್ಕಾಂತಗಳುಅವುಗಳ ಗಮನಾರ್ಹ ಕಾಂತೀಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳಿಗಾಗಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗಿದೆ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಆಯಸ್ಕಾಂತಗಳ ಕಳಪೆ ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆಯು ವಾಣಿಜ್ಯ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳಲ್ಲಿ ಅವುಗಳ ಮುಂದಿನ ಬಳಕೆಗೆ ಅಡ್ಡಿಯಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಮೇಲ್ಮೈ ಲೇಪನಗಳು ಅವಶ್ಯಕ. ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುವ ಲೇಪನಗಳಲ್ಲಿ ಪ್ರಸ್ತುತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್ Ni- ಆಧಾರಿತ ಲೇಪನಗಳು, ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್ Zn-ಆಧಾರಿತ ಲೇಪನಗಳು, ಹಾಗೆಯೇ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಫೋರೆಟಿಕ್ ಅಥವಾ ಸ್ಪ್ರೇ ಎಪಾಕ್ಸಿ ಲೇಪನಗಳು ಸೇರಿವೆ. ಆದರೆ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ನಿರಂತರ ಪ್ರಗತಿಯೊಂದಿಗೆ, NdFeB ನ ಲೇಪನಗಳ ಅಗತ್ಯತೆಗಳು ಸಹ ಹೆಚ್ಚುತ್ತಿವೆ, ಮತ್ತು ಸಾಂಪ್ರದಾಯಿಕ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್ ಪದರಗಳು ಕೆಲವೊಮ್ಮೆ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ. ಭೌತಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆ (PVD) ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಠೇವಣಿ ಮಾಡಲಾದ ಅಲ್ ಆಧಾರಿತ ಲೇಪನವು ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.
● ಪಿವಿಡಿ ತಂತ್ರಗಳಾದ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್, ಅಯಾನ್ ಲೋಹಲೇಪ, ಮತ್ತು ಬಾಷ್ಪೀಕರಣ ಲೋಹಲೇಪನವು ರಕ್ಷಣಾತ್ಮಕ ಲೇಪನಗಳನ್ನು ಪಡೆಯಬಹುದು. ಟೇಬಲ್ 1 ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ವಿಧಾನಗಳ ತತ್ವಗಳು ಮತ್ತು ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೋಲಿಕೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.
ಕೋಷ್ಟಕ 1 ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ವಿಧಾನಗಳ ನಡುವಿನ ಹೋಲಿಕೆ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಎನ್ನುವುದು ಘನ ಮೇಲ್ಮೈ ಮೇಲೆ ಬಾಂಬ್ ಸ್ಫೋಟಿಸಲು ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಕಣಗಳನ್ನು ಬಳಸುವ ವಿದ್ಯಮಾನವಾಗಿದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಘನ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಪರಮಾಣುಗಳು ಮತ್ತು ಅಣುಗಳು ಈ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಕಣಗಳೊಂದಿಗೆ ಚಲನ ಶಕ್ತಿಯನ್ನು ವಿನಿಮಯ ಮಾಡಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಘನ ಮೇಲ್ಮೈಯಿಂದ ಹೊರಬರುತ್ತವೆ. ಇದನ್ನು ಮೊದಲು 1852 ರಲ್ಲಿ ಗ್ರೋವ್ ಕಂಡುಹಿಡಿದನು. ಅದರ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯ ಸಮಯದ ಪ್ರಕಾರ, ದ್ವಿತೀಯಕ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್, ತೃತೀಯ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್, ಇತ್ಯಾದಿ. ಆದಾಗ್ಯೂ, ಕಡಿಮೆ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ದಕ್ಷತೆ ಮತ್ತು ಇತರ ಕಾರಣಗಳಿಂದಾಗಿ, 1974 ರವರೆಗೆ ಚಾಪಿನ್ ಸಮತೋಲಿತ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಕಂಡುಹಿಡಿದಾಗ, ಹೆಚ್ಚಿನ ವೇಗ ಮತ್ತು ಕಡಿಮೆ-ತಾಪಮಾನದ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಅನ್ನು ವಾಸ್ತವಿಕವಾಗಿ ಮಾಡುವವರೆಗೆ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗಲಿಲ್ಲ ಮತ್ತು ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವು ವೇಗವಾಗಿ ಅಭಿವೃದ್ಧಿ ಹೊಂದಲು ಸಾಧ್ಯವಾಯಿತು. ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಎನ್ನುವುದು ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ವಿಧಾನವಾಗಿದ್ದು, ಅಯಾನೀಕರಣದ ದರವನ್ನು 5% -6% ಗೆ ಹೆಚ್ಚಿಸಲು ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ವಿದ್ಯುತ್ಕಾಂತೀಯ ಕ್ಷೇತ್ರಗಳನ್ನು ಪರಿಚಯಿಸುತ್ತದೆ. ಸಮತೋಲಿತ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ನ ಸ್ಕೀಮ್ಯಾಟಿಕ್ ರೇಖಾಚಿತ್ರವನ್ನು ಚಿತ್ರ 1 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಲಾಗಿದೆ.
ಚಿತ್ರ 1 ಸಮತೋಲಿತ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ರಾನ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ನ ತತ್ವ ರೇಖಾಚಿತ್ರ
ಅದರ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆಯಿಂದಾಗಿ, ಅಯಾನು ಆವಿ ಶೇಖರಣೆಯಿಂದ (IVD) ಠೇವಣಿ ಮಾಡಲಾದ ಅಲ್ ಲೇಪನವನ್ನು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್ ಸಿಡಿಗೆ ಬದಲಿಯಾಗಿ ಬೋಯಿಂಗ್ ಬಳಸಿದೆ. ಸಿಂಟರ್ಡ್ NdFeB ಗಾಗಿ ಬಳಸಿದಾಗ, ಇದು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಈ ಕೆಳಗಿನ ಪ್ರಯೋಜನಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ:
1.Hಇಗ್ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವ ಶಕ್ತಿ.
ಅಲ್ ಮತ್ತು ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವ ಶಕ್ತಿNdFeBಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ≥ 25MPa ಆಗಿದೆ, ಆದರೆ ಸಾಮಾನ್ಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟೆಡ್ Ni ಮತ್ತು NdFeB ಯ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವು ಸುಮಾರು 8-12MPa ಆಗಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟೆಡ್ Zn ಮತ್ತು NdFeB ಗಳ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವು ಸುಮಾರು 6-10MPa ಆಗಿದೆ. ಈ ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯವು ಹೆಚ್ಚಿನ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದ ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಯಾವುದೇ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗೆ Al/NdFeB ಅನ್ನು ಸೂಕ್ತವಾಗಿಸುತ್ತದೆ. ಚಿತ್ರ 2 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ, (-196 ° C) ಮತ್ತು (200 ° C) ನಡುವಿನ ಪ್ರಭಾವದ 10 ಚಕ್ರಗಳನ್ನು ಪರ್ಯಾಯಗೊಳಿಸಿದ ನಂತರ, ಅಲ್ ಲೇಪನದ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವ ಶಕ್ತಿಯು ಅತ್ಯುತ್ತಮವಾಗಿ ಉಳಿಯುತ್ತದೆ.
ಚಿತ್ರ 2 ಫೋಟೋ
2. ಅಂಟು ನೆನೆಸಿ.
ಅಲ್ ಲೇಪನವು ಹೈಡ್ರೋಫಿಲಿಸಿಟಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ ಮತ್ತು ಅಂಟು ಸಂಪರ್ಕ ಕೋನವು ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ, ಬೀಳುವ ಅಪಾಯವಿಲ್ಲದೆ. ಚಿತ್ರ 3 38mN ಮೇಲ್ಮೈ ಒತ್ತಡದ ದ್ರವವನ್ನು ತೋರಿಸುತ್ತದೆ. ಪರೀಕ್ಷಾ ದ್ರವವು ಅಲ್ ಲೇಪನದ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಹರಡುತ್ತದೆ.
ಚಿತ್ರ 3. 38mN ಮೇಲ್ಮೈ ಒತ್ತಡದ ಪರೀಕ್ಷೆ
3.Al ನ ಕಾಂತೀಯ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆಯು ತುಂಬಾ ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ (ಸಾಪೇಕ್ಷ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ: 1.00) ಮತ್ತು ಕಾಂತೀಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳ ರಕ್ಷಣೆಗೆ ಕಾರಣವಾಗುವುದಿಲ್ಲ.
3C ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ ಸಣ್ಣ ಪರಿಮಾಣದ ಆಯಸ್ಕಾಂತಗಳ ಅನ್ವಯದಲ್ಲಿ ಇದು ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಮುಖ್ಯವಾಗಿದೆ. ಮೇಲ್ಮೈ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ ಬಹಳ ಮುಖ್ಯ. ಚಿತ್ರ 4 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ, D10 * 10 ಮಾದರಿ ಕಾಲಮ್‌ಗೆ, ಕಾಂತೀಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳ ಮೇಲೆ ಅಲ್ ಲೇಪನದ ಪ್ರಭಾವವು ತುಂಬಾ ಚಿಕ್ಕದಾಗಿದೆ.
ಚಿತ್ರ 4 PVD ಅಲ್ ಕೋಟಿಂಗ್ ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್ NiCuNi ಲೇಪನವನ್ನು ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಠೇವಣಿ ಮಾಡಿದ ನಂತರ ಸಿಂಟರ್ಡ್ NdFeB ನ ಕಾಂತೀಯ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳಲ್ಲಿನ ಬದಲಾವಣೆಗಳು.
5.PVD ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಶೇಖರಣೆ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಪರಿಸರ ಸ್ನೇಹಿಯಾಗಿದೆ ಮತ್ತು ಯಾವುದೇ ಪರಿಸರ ಮಾಲಿನ್ಯ ಸಮಸ್ಯೆ ಇಲ್ಲ.
ಪ್ರಾಯೋಗಿಕ ಅಗತ್ಯಗಳ ಅಗತ್ಯತೆಗಳ ಪ್ರಕಾರ, PVD ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವು ಅತ್ಯುತ್ತಮವಾದ ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ Al/Al2O3 ಮಲ್ಟಿಲೇಯರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಯಾಂತ್ರಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳೊಂದಿಗೆ Al/AlN ಲೇಪನಗಳಂತಹ ಮಲ್ಟಿಲೇಯರ್‌ಗಳನ್ನು ಸಹ ಠೇವಣಿ ಮಾಡಬಹುದು. ಚಿತ್ರ 5 ರಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ, Al/Al2O3 ಬಹುಪದರದ ಲೇಪನದ ಅಡ್ಡ-ವಿಭಾಗದ ರಚನೆ.
ಚಿತ್ರ 5 Al/Al2O3 ಮಲ್ಟಿಲೈಯರ್‌ಗಳ ಅಡ್ಡ ವಿಭಾಗ
ಪ್ರಸ್ತುತ, NdFeB ನಲ್ಲಿ ಅಲ್ ಕೋಟಿಂಗ್‌ಗಳ ಕೈಗಾರಿಕೀಕರಣವನ್ನು ನಿರ್ಬಂಧಿಸುವ ಮುಖ್ಯ ಸಮಸ್ಯೆಗಳು:
(1) ಆಯಸ್ಕಾಂತದ ಆರು ಬದಿಗಳು ಏಕರೂಪವಾಗಿ ಠೇವಣಿಯಾಗಿವೆ. ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ ರಕ್ಷಣೆಯ ಅವಶ್ಯಕತೆಯು ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ನ ಹೊರ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಸಮಾನವಾದ ಲೇಪನವನ್ನು ಠೇವಣಿ ಮಾಡುವುದು, ಇದು ಲೇಪನದ ಗುಣಮಟ್ಟದ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಖಚಿತಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲು ಬ್ಯಾಚ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ನ ಮೂರು ಆಯಾಮದ ತಿರುಗುವಿಕೆಯನ್ನು ಪರಿಹರಿಸುವ ಅಗತ್ಯವಿದೆ;
(2) ಅಲ್ ಕೋಟಿಂಗ್ ಸ್ಟ್ರಿಪ್ಪಿಂಗ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ. ದೊಡ್ಡ ಪ್ರಮಾಣದ ಕೈಗಾರಿಕಾ ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯಲ್ಲಿ, ಅನರ್ಹ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು ಕಾಣಿಸಿಕೊಳ್ಳುವುದು ಅನಿವಾರ್ಯವಾಗಿದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, NdFeB ಆಯಸ್ಕಾಂತಗಳ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಗೆ ಹಾನಿಯಾಗದಂತೆ ಅನರ್ಹವಾದ ಅಲ್ ಲೇಪನವನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕುವುದು ಮತ್ತು ಅದನ್ನು ಮರು-ರಕ್ಷಿಸುವುದು ಅವಶ್ಯಕ;
(3) ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್ ಪರಿಸರದ ಪ್ರಕಾರ, ಸಿಂಟರ್ಡ್ NdFeB ಆಯಸ್ಕಾಂತಗಳು ಬಹು ಶ್ರೇಣಿಗಳನ್ನು ಮತ್ತು ಆಕಾರಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ. ಆದ್ದರಿಂದ, ವಿವಿಧ ಶ್ರೇಣಿಗಳನ್ನು ಮತ್ತು ಆಕಾರಗಳಿಗೆ ಸೂಕ್ತವಾದ ರಕ್ಷಣಾತ್ಮಕ ವಿಧಾನಗಳನ್ನು ಅಧ್ಯಯನ ಮಾಡುವುದು ಅವಶ್ಯಕ;
(4) ಉತ್ಪಾದನಾ ಸಲಕರಣೆಗಳ ಅಭಿವೃದ್ಧಿ. ಉತ್ಪಾದನಾ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಸಮಂಜಸವಾದ ಉತ್ಪಾದನಾ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಖಾತ್ರಿಪಡಿಸುವ ಅಗತ್ಯವಿದೆ, ಇದು NdFeB ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ ರಕ್ಷಣೆಗೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಉತ್ಪಾದನಾ ದಕ್ಷತೆಗೆ ಸೂಕ್ತವಾದ PVD ಉಪಕರಣಗಳ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ;
(5) PVD ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ ಉತ್ಪಾದನೆಯ ವೆಚ್ಚವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದು ಮತ್ತು ಮಾರುಕಟ್ಟೆ ಸ್ಪರ್ಧಾತ್ಮಕತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುವುದು;
ವರ್ಷಗಳ ಸಂಶೋಧನೆ ಮತ್ತು ಕೈಗಾರಿಕಾ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಯ ನಂತರ. ಹ್ಯಾಂಗ್‌ಝೌ ಮ್ಯಾಗ್ನೆಟ್ ಪವರ್ ಟೆಕ್ನಾಲಜಿಯು ಗ್ರಾಹಕರಿಗೆ ಬಲ್ಕ್ ಪಿವಿಡಿ ಅಲ್ ಲೇಪಿತ ಉತ್ಪನ್ನಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸಲು ಸಮರ್ಥವಾಗಿದೆ. ಕೆಳಗಿನ ಅಂಕಿಗಳನ್ನು ತೋರಿಸಿರುವಂತೆ, ಸಂಬಂಧಿತ ಉತ್ಪನ್ನ ಫೋಟೋಗಳು.
